Microchip Technology mengumumkan ketersediaan modul daya 3,3 kV HV-D3 mSiC® terbaru yang dirancang untuk menyederhanakan sekaligus mempercepat adopsi solid-state transformer (SST) di pusat data AI hyperscale dan berbagai aplikasi daya tegangan tinggi lainnya.
Modul terbaru ini mengintegrasikan MOSFET mSiC® silikon karbida (SiC) 3,3 kV dan dioda Schottky dalam kemasan standar industri 62 mm, sehingga memungkinkan penyaluran daya yang efisien langsung dari jaringan listrik tegangan menengah ke rak server.
Seiring pusat data AI terus berkembang, kemampuan token generation kini semakin dibatasi oleh ketersediaan daya, sementara efisiensi menjadi faktor utama dalam menentukan return on investment.
Arsitektur tradisional yang berbasis transformator berukuran besar dengan frekuensi rendah dinilai menambah kompleksitas, meningkatkan kehilangan daya, serta membatasi fleksibilitas sistem. Solid-state transformer menghadirkan perubahan mendasar dalam distribusi daya dengan mengurangi tahapan konversi dan memungkinkan efisiensi sistem yang lebih tinggi. Pergeseran industri menuju distribusi rak DC bertegangan lebih tinggi di fasilitas AI generasi berikutnya juga semakin memperkuat nilai SST, yang dirancang untuk menyalurkan DC teregulasi langsung dari jaringan tegangan menengah dengan tahapan konversi yang lebih sedikit.
Modul HV-D3 mSiC dari Microchip dirancang khusus untuk memenuhi kebutuhan tersebut. Modul ini menggunakan teknologi MOSFET mSiC milik Microchip yang menawarkan stabilitas RDS(on) sangat kompetitif pada berbagai suhu, dipadukan dengan kemasan yang mendukung isolasi 6 kV, material dengan rating CTI 600, serta jarak creepage yang diperpanjang guna mendukung koneksi seri secara aman untuk operasi tegangan tinggi. Substrat silikon nitrida (Si₃N₄) juga memberikan konduktivitas termal dan kemampuan power-cycling yang lebih baik, membantu desainer mencapai densitas daya lebih tinggi dengan kebutuhan pendinginan yang lebih rendah.
“Seiring pusat data AI terus mendorong batas distribusi daya dari jaringan listrik ke GPU, kebutuhan terhadap solid-state transformer menjadi semakin penting,” ujar Clayton Pillion, Wakil Presiden High-Power Solutions Business Unit di Microchip Technology. “Modul daya 3,3 kV HV-D3 mSiC kami memungkinkan desainer mengurangi jumlah perangkat yang terhubung secara seri hingga sekitar setengah dibandingkan alternatif SiC bertegangan lebih rendah saat terhubung dengan jaringan 13,8 kV atau 34,5 kV. Perangkat ini juga menjawab kesenjangan utama di pasar industri untuk produk 100–300A, dengan menjembatani perangkat SiC diskret dan modul daya berukuran jauh lebih besar.”
Modul daya HV-D3 mSiC tersedia dalam konfigurasi half-bridge dan common-source, baik dengan maupun tanpa dioda Schottky anti-paralel, untuk mendukung aplikasi pada rentang 100–300A. Teknologi MOSFET mSiC dari Microchip menawarkan switching losses yang seimbang untuk topologi hard-switched maupun soft-switched, sehingga cocok digunakan untuk desain SST dan sistem tegangan tinggi berfrekuensi tinggi lainnya.
Selain dioptimalkan untuk solid-state transformer di pusat data AI, modul daya HV-D3 mSiC juga mendukung berbagai aplikasi lain, termasuk infrastruktur pengisian daya megawatt untuk kendaraan berat, auxiliary power supply untuk kereta dan transportasi berat, medium-voltage motor drives, hingga sistem daya industri dan pertahanan. Berbagai pasar tersebut memperoleh manfaat dari kombinasi isolasi tinggi, ketahanan termal, serta efisiensi konversi daya yang ditawarkan.
Microchip memiliki pengalaman lebih dari 20 tahun dalam pengembangan, desain, manufaktur, dan dukungan perangkat serta solusi SiC guna membantu pelanggan mengadopsi teknologi SiC dengan lebih mudah, cepat, dan percaya diri. Produk dan solusi mSiC dari perusahaan dirancang untuk menghadirkan biaya sistem lebih rendah, waktu pemasaran lebih cepat, serta risiko yang lebih minim. Microchip juga menawarkan portofolio luas dan fleksibel untuk dioda SiC, MOSFET, dan gate driver
